| GaAs／GaAlAs单量子阱光调制器电学行为 |
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| 引用本文： | 周洁 封松林. GaAs／GaAlAs单量子阱光调制器电学行为[J]. 红外与毫米波学报, 1994, 13(1): 65-68 |
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| 作者姓名： | 周洁 封松林 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家实验室，中国科学技术大学研究生院 |
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| 摘 要： | 利用导纳谱研究了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ单量子阱光调制器的电学行为，观察到了量子阱中电子或空穴子能带的“场致去局域化”的物理现象。
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| 关 键 词： | 量子阱 导纳谱 子能带 光调制器 |
ELECTRICAL BEHAVIOR OF LIGHT MODULATOR IN GaAS/GaAlAs SINGLE QUANTUM WELL STRUCTURE |
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| Zhou Jie,Feng Songlin,Lu Liwu,Sun Jinglan. ELECTRICAL BEHAVIOR OF LIGHT MODULATOR IN GaAS/GaAlAs SINGLE QUANTUM WELL STRUCTURE[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 1994, 13(1): 65-68 |
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| Authors: | Zhou Jie Feng Songlin Lu Liwu Sun Jinglan |
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| Abstract: | The electrical behavior of light modulator in GaAs/GaAlAs single quantum wen was investigated by using admittance spectroscopy technique. The physical phenomenon of delocalization in the electron and hole subbands of quantum well under electric field was observed. |
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| Keywords: | quantum well admittance spectroscopy GaAs/GaAlAs subband |
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