| 用调制光谱研究半导体体材料及微结构的非线性极化率 |
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| 引用本文： | 王若桢,田强,江德生. 用调制光谱研究半导体体材料及微结构的非线性极化率[J]. 半导体学报, 2000, 21(1): 89-92 |
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| 作者姓名： | 王若桢 田强 江德生 |
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| 作者单位： | 北京师范大学物理系!北京100875(王若桢，田强)，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室!北京100083(江德生) |
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| 摘 要： | 提出了用调制光谱信号强度表征半导体体材料及微结构的非线性极化率，研究了测量的原理和方法．对玻璃中量子点电反射调制光谱信号强度随团簇颗粒尺寸的不同而产生几个数量级变化的原因作出了解释
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| 关 键 词： | 极化率 半导体微结构 调制光谱 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)01-0089-04 |
| 修稿时间： | 1998-07-10 |
Measurement of Nonlinear Susceptibility for Semiconductor Microstructures by Modulation Spectroscopy |
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| WANG Ruo|zhen and TIAN Qiang. Measurement of Nonlinear Susceptibility for Semiconductor Microstructures by Modulation Spectroscopy[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(1): 89-92 |
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| Authors: | WANG Ruo|zhen and TIAN Qiang |
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| Abstract: | It is proposed to use the signal intensity of modulation spectra for characterizing the nonlinear susceptibility of bulk semiconductor materials and microstructures.The principle and method of measurement are investigated.The large difference,as high as several orders of magnitude,between the signal intensities of electroreflectance spectra of quantum dots in doped glass with different cluster size is discussed. |
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| Keywords: | Susceptibility Semiconductor Microstructures Modulation Spectroscopy |
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