| 磁控溅射氧化钒相变薄膜的电阻温度特性测量 |
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| 引用本文： | 乔亚,俞红兵,齐博蕾,路远,凌永顺.磁控溅射氧化钒相变薄膜的电阻温度特性测量[J].压电与声光,2014,36(2):202-204. |
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| 作者姓名： | 乔亚 俞红兵 齐博蕾 路远 凌永顺 |
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| 作者单位： | （ 1. 脉冲功率激光技术国家重点实验室，安徽 合肥230037;;2. 红外与低温等离子体安徽省重点实验室，电子工程学院，安徽 合肥 230037;;3. 电子工程学院403教研室，安徽 合肥 230037;;4. 北京航天测控技术有限公司，北京 100070) |
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| 基金项目： | 红外与低温等离子体安徽省重点实验室基金资助项目（2010A001004D） |
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| 摘 要： | 利用MS500-B超高真空磁控溅射镀膜机,分别采用氧化法和还原法在普通玻璃基底上制备了二氧化钒(VO2)相变薄膜;并在2080℃内往复变化时,利用XMT-100数字精密温度计和SX1934数字四探针测试仪测量两类样品的电阻-温度特性曲线。结果表明,两类样品均具有热敏相变特性;氧化法制备薄膜的电阻为9.9680℃内往复变化时,利用XMT-100数字精密温度计和SX1934数字四探针测试仪测量两类样品的电阻-温度特性曲线。结果表明,两类样品均具有热敏相变特性;氧化法制备薄膜的电阻为9.960.06kΩ,相变温度约为30℃;还原法制备薄膜的电阻为80.30.06kΩ,相变温度约为30℃;还原法制备薄膜的电阻为80.37.4kΩ,相变温度约为52℃。
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| 关 键 词： | 直流磁控溅射 二氧化钒(VO2)薄膜 退火 |
The Resistance temperature Curve Measurement of Magnetron Sputtering Vanadium Dioxide Film Presenting a Phase Transition |
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| QIAO Y,YU Hongbing,QI Bolei,LU Yuan and LING Yongshun.The Resistance temperature Curve Measurement of Magnetron Sputtering Vanadium Dioxide Film Presenting a Phase Transition[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2014,36(2):202-204. |
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| Authors: | QIAO Y YU Hongbing QI Bolei LU Yuan and LING Yongshun |
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| Affiliation: | (1. State Key Lab. of Pulsed Power Laser Technology, Hefei 230037, China;;2. Key Lab. of Infrared and Low Temperature Plasma of Anhui Province,Electronic Engineering Institute, Hefei 230037, China;;3. NO.403, Teaching and Research Section, Electronic Engineering Institute, Hefei 230037, China;;4. Beijing Aerospace Measurement & Control Technology Co., Ltd., Beijing 100070,China) |
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| Abstract: | |
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