| 恒定气压下流量对溅射AlN薄膜结构性能的影响 |
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| 引用本文： | 杨杰,马晋毅,杜波,徐阳,石玉.恒定气压下流量对溅射AlN薄膜结构性能的影响[J].压电与声光,2014,36(2):217-220. |
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| 作者姓名： | 杨杰 马晋毅 杜波 徐阳 石玉 |
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| 作者单位： | （1. 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054；;2. 中国电子科技公司第26研究所，重庆 400060） |
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| 摘 要： | 研究了恒定气压下、通入不同气体流量对射频磁控溅射原位沉积氮化铝(AlN)薄膜应力、结晶质量和表面形貌的影响。利用应力分析仪、X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和台阶仪对AlN薄膜的结构特性进行了分析。结果表明,恒定气压下改变通入气体流量对薄膜应力、结晶质量、表面形貌及粗糙度和薄膜沉积速率均有影响。当通入气体流量为10cm3/min时,AlN薄膜呈明显的压应力,结晶质量较差。增加通入气体流量降低了薄膜沉积速率和增加了表面粗糙度,但有利于减小薄膜的压应力和提高薄膜的结晶质量。本实验条件下得出的溅射AlN薄膜的最佳流量条件为50cm3/min。
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| 关 键 词： | 溅射 氮化铝(AlN)薄膜 通入气体流量 结构特性 |
Effect of Input Gas Flux on the Structural Characteristics of Sputtered AlN Films at a Fixed Pressure |
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| YANG Jie,MA Jinyi,DU Bo,XU Yang and SHI Yu.Effect of Input Gas Flux on the Structural Characteristics of Sputtered AlN Films at a Fixed Pressure[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2014,36(2):217-220. |
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| Authors: | YANG Jie MA Jinyi DU Bo XU Yang and SHI Yu |
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| Affiliation: | (1. State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China;;2. 26th Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Chongqing 400060,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | sputtering AlN films input gas flux structural characteristics |
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