首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

Si(Li)半导体电子谱仪的效率刻度
作者姓名:朱家璧  郑万辉  顾加辉  王功庆
作者单位:中国科学院上海原子核研究所(朱家璧,郑万辉,顾加辉),中国科学院上海原子核研究所(王功庆)
摘    要:Si(Li)半导体电子谱仪与磁谱仪相比,具有探测效率高、价廉、制作方便,分辨率相当于许多透镜型磁谱仪,并能作全能谱测量等优点。它是目前核谱测量中常用的一种设备,对于短寿命弱放射性的测量尤为适宜。Si(Li)电子谱仪的效率刻度是谱仪作定量测量的基础。谱仪经效率刻度后,能精确测量电子谱线的相对、绝对强度。结合γ射线强度测量就能算出内转换系数,这是确定核跃迁多极性的重要方法,也是确定核素纲图中绝对跃迁数的重要方法。因此电子谱仪的效率刻度在核物理研究、同位素应用、核爆辐射场、天体辐射带等关于β及电子强度测量中是必不可少的。

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号