索尼公司发展划时代的高质量单晶硅制造方法

索尼公司最近发展了一项制造高质量单晶硅的新方法——强磁场切克劳斯基法,简称MCZ法。该法最早由美国的空间实验为了试验硅以外的材料,在地面上试验无重力拉晶时发明的。MCZ法也可应用于拉制单晶硅。一般的CZ法拉制单晶硅时,由于产生热对流现象,硅的液面颤动,温度变化,难以得到均匀的单晶,而且石英坩埚与硅熔体起化学反应,大量的氧进入硅晶体,造成晶体缺陷和晶格畸变。