| 近红外波段Ge光电探测器的研究进展 |
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| 引用本文： | 柯星星,罗军,赵超,王桂磊. 近红外波段Ge光电探测器的研究进展[J]. 半导体技术, 2015, 40(4): 241-249. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.04.001 |
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| 作者姓名： | 柯星星 罗军 赵超 王桂磊 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京,100029 |
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| 摘 要： | 随着光通信技术的发展,如何制备能与Si基电路单片集成的响应波长在1.3和1.55 μm的高性能光电探测器成为研究热点.总结了SiGe组分变化的缓冲层技术、低温缓冲层技术以及选区外延这三种主流的Ge材料外延技术,介绍了pin结构、金属-半导体-金属(MSM)结构、雪崩光电二极管(APD)结构以及pin结构和MSM结构与光波导集成这四种不同结构的Ge光电探测器,并从这些不同结构的器件制备技术方面阐述了近红外波段Ge光电探测器的研究进展及其应用.
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| 关 键 词： | 光通信 单片集成 Ge 光电探测器 近红外 |
Research Progress on Ge Photodetectors in Near Infrared Band |
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| Ke Xingxing;Luo Jun;Zhao Chao;Wang Guilei. Research Progress on Ge Photodetectors in Near Infrared Band[J]. Semiconductor Technology, 2015, 40(4): 241-249. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.04.001 |
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| Authors: | Ke Xingxing Luo Jun Zhao Chao Wang Guilei |
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| Affiliation: | Ke Xingxing;Luo Jun;Zhao Chao;Wang Guilei;Key laboratory of Microelectronics devices and integrated technology,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | optical communication monolithic integration Ge photodetector near infrared |
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