TSV立体集成用Cu/Sn键合工艺 |
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引用本文: | 张巍,单光宝,杜欣荣.TSV立体集成用Cu/Sn键合工艺[J].微纳电子技术,2015(4):266-270. |
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作者姓名: | 张巍 单光宝 杜欣荣 |
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作者单位: | 西安微电子技术研究所 |
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摘 要: | 为实现硅通孔(TSV)立体集成多层芯片可靠堆叠,对一种具备低温键合且不可逆特点的Cu/Sn等温凝固键合技术进行了研究。基于Cu/Sn系二元合金平衡相图,分析了金属层间低温扩散反应机理,设计了微凸点键合结构并开展了键合工艺实验。通过优化键合工艺参数,获取了性能稳定的金属间化合物(IMC)层,且剪切力键合强度值达到了国家标准,具备良好的热、机械特性。将其应用到多芯片逐层键合工艺实验当中,成功获取了4层堆叠样品,验证了Cu/Sn等温凝固键合技术在TSV立体集成中的应用潜力。
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关 键 词: | Cu/Sn体系 低温键合 等温凝固扩散 硅通孔(TSV) 三维集成 |
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