MOS C-t测量——二点法估计少子寿命

本文从MOS电容瞬态微分方程的特解,提出了一个直接从MOS电容c-t曲线换算少子寿命的方法。此法十分简单,只需进行一次必要的计算,就可以从c-t曲线读数,迅速确定少子寿命及其随耗尽层深度的变化。本法等同于Zerbst图解法,因而有相同的准确性,但不需作曲线。在Zerbst法失效时,也能给出一个估计值。几种典型的c-t曲线,给出了少子寿命随耗尽层深度的变化。此法适用于需作大量测量的工艺监控及Si材料检查。