| 快速退火对HfO_2高k薄膜结构和电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 谭婷婷,刘正堂,刘文婷.快速退火对HfO_2高k薄膜结构和电学性能的影响[J].西北工业大学学报,2010,28(4). |
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| 作者姓名： | 谭婷婷 刘正堂 刘文婷 |
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| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072 |
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| 基金项目： | 西北工业大学基础研究基金 |
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| 摘 要： | 文章采用射频反应磁控溅射法在p型Si(100)衬底上制备了HfO2高k薄膜,并对样品进行了N2气氛快速退火处理。对薄膜进行了Raman光谱、UV-VIS-NIR透过光谱、XPS以及C-V特性的分析,研究了快速退火对HfO2薄膜结构、成分、禁带宽度和电学特性的影响。结果表明,HfO2薄膜有良好的非晶稳定性,组分基本符合化学剂量比。经N2气氛快速退火处理后,薄膜的化学剂量比得到改善,禁带宽度增大,且薄膜内的固定电荷密度和平带电压偏移减小。
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| 关 键 词： | HfO2高k薄膜 快速退火 结构 电学性能 |
Determining Relatively Fully Effects of Rapid Thermal Annealing on Structure and Electrical Characteristics of HfO2 High k Dielectric Films |
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| Tan Tingting,Liu Zhengtang,Liu Wenting.Determining Relatively Fully Effects of Rapid Thermal Annealing on Structure and Electrical Characteristics of HfO2 High k Dielectric Films[J].Journal of Northwestern Polytechnical University,2010,28(4). |
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| Authors: | Tan Tingting Liu Zhengtang Liu Wenting |
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