电弧作用后CuCrTe(W)触头熔化层组织及耐压性能的研究 |
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引用本文: | 傅肃嘉,方敏,苗国霞,张明志.电弧作用后CuCrTe(W)触头熔化层组织及耐压性能的研究[J].电工材料,1998(2). |
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作者姓名: | 傅肃嘉 方敏 苗国霞 张明志 |
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作者单位: | 浙江省冶金研究院!310007 |
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摘 要: | 本文研究了CuCrTe和CuCrWTe真空触头经长时间电弧作用后的表面熔化层显微组织及成分的变化。金相和扫描电镜分析表明:CuCrTe触头表面局部存在溅射坑点,熔化层厚度为0~70μm左右,Cr沉淀析出相的粒度为1~5μm左右;CuCrWTe触头表面平整,熔化层厚度约为10μm左右,CrW沉淀析出相粒度小于1μm。能谱成分分析表明:触头熔化层中Cu成分含量显著低于其原始成分含量。耐压试验表明:电弧作用和在CuCrTe材料中添加一定量的W,均可显著提高其耐压性能。
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关 键 词: | CuCrTe(W) 真空触头 电弧作用 熔化层 显微组织成分 |
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