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激光刻蚀硅磁敏三极管发射区引线槽的研究
引用本文:温殿忠.激光刻蚀硅磁敏三极管发射区引线槽的研究[J].中国激光,2003,30(5):454-456.
作者姓名:温殿忠
作者单位:黑龙江大学电子工程学院,黑龙江,哈尔滨,150080
基金项目:国家自然科学基金 (编号 :60 0 760 2 7)资助项目
摘    要:提出了一种激光与微电子机械加工系统 (MEMS)相结合刻蚀硅磁敏三极管发射区引线槽的方法。实验结果表明 ,利用这种新方法刻蚀的硅磁敏三极管发射区引线槽具有刻蚀速率大、质量好的优点 ,并且可以实现对 ,〈111〉晶向硅片无掩膜加工。

关 键 词:激光技术  激光刻蚀  微电子机械加工系统  磁敏三极管  引线槽
收稿时间:2002/3/5

Study on Laser Etching emitter Region-groove Approach of Magnetic-Sensitive Silicon Transistor
WEN Dian,zhong.Study on Laser Etching emitter Region-groove Approach of Magnetic-Sensitive Silicon Transistor[J].Chinese Journal of Lasers,2003,30(5):454-456.
Authors:WEN Dian  zhong
Abstract:A new method to etching emitter region groove approach of magnetic sensitive transistor was proposed by combine laser with MEMS technique. The results from the experiment show that new method can etch emitter region groove approach of magnetic sensitive transistor with high quality and high etching rates of Si, and process Si of <111> without mask.
Keywords:laser technique  laser etching  MEMS  magnetic  sensitive transistor  groove approach
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