| 硅基MZI 结构光调制器静态消光比 |
| |
| 引用本文： | 桂林,邵宇丰,左健存,王胜利,孙秋冬,方安乐,周志彬,张华.硅基MZI 结构光调制器静态消光比[J].上海第二工业大学学报,2015(3). |
| |
| 作者姓名： | 桂林 邵宇丰 左健存 王胜利 孙秋冬 方安乐 周志彬 张华 |
| |
| 摘 要： | 硅基光调制器技术是当前硅基光子学技术领域较为活跃的一个分支。结合硅基光子器件的材料特性和常见横截面波导结构, 研究了硅基MZI 结构光调制器的静态消光比特性, 论述了光调制器发“1” 码时所加峰值电压、工作波长选择和移相器几何尺寸对静态消光比的影响。研究表明, 光调制器发“1” 码时所加峰值电压较小时, 消光比的变化量较大; 在其他参数相同的情况下, 工作波长的选择对光调制器的消光比有很大影响; 在调制器尺寸选择方面, 倾向于选择两臂较长, 但两臂长度差较小的结构, 因为此时的消光比较大, 同时对工作波长变化不敏感。
|
| 关 键 词： | 硅光子学 光调制器 MZI 结构 消光比 光通信 |
Extinction Ratio of the MZI-Based Optical Silicon Modulator |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《上海第二工业大学学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《上海第二工业大学学报》下载全文 |
|
