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并行演化算法在半导体器件综合中的应用
引用本文:张文俊,谢晓锋,马君. 并行演化算法在半导体器件综合中的应用[J]. 微电子学与计算机, 2006, 23(10): 87-89
作者姓名:张文俊  谢晓锋  马君
作者单位:1. 清华大学,微电子学研究所,北京,100084
2. 西安财经学院,计算机与科学系,陕西,西安,710061
摘    要:文章将并行演化算法应用于半导体器件综合,根据半导体工艺与器件综合的特点选用了主从式孤岛模型.并分析了参数对性能和加速比的影响。

关 键 词:器件综合  并行演化算法  孤岛模型
文章编号:1000-7180(2006)10-0087-03
收稿时间:2006-04-28
修稿时间:2006-04-28

Semiconductor Device Synthesis with Parallel Evolutionary Algorithm
ZHANG Wen-jun,XIE Xiao-feng,MA Jun. Semiconductor Device Synthesis with Parallel Evolutionary Algorithm[J]. Microelectronics & Computer, 2006, 23(10): 87-89
Authors:ZHANG Wen-jun  XIE Xiao-feng  MA Jun
Abstract:Device synthesis is realized by applying parallel evolutionary algorithm (PEA) in this paper. According to the characteristics of semi-conductor process and device we choose the master -slave island model and analyze the influence of the parameter to the performance and ratio of acceleration .
Keywords:Device and process synthesis   Parallel evolutionary algorithm   Island model
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