| 用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料 |
| |
| 引用本文： | 王敬,梁仁荣,徐阳,刘志弘,许军,钱佩信.用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料[J].半导体学报,2006,27(z1):179-182. |
| |
| 作者姓名： | 王敬 梁仁荣 徐阳 刘志弘 许军 钱佩信 |
| |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
| |
| 摘 要： | 利用减压化学气相沉积技术,制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge01/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底.通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺,有效地降低了表面粗糙度和位错密度.与Ge组分突变相比,采用线性渐变组分后,应变硅材料表面粗糙度从3.07nm减小到0.75nm,位错密度约为5×104 cm-2,表面应变硅层应变度约为0.45%.
|
| 关 键 词： | 应变硅 锗硅虚衬底 减压化学气相沉积 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0179-04 |
| 修稿时间： | 2005年10月11日 |
Fabrication of Strained Silicon Using Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition Process |
| |
| Wang Jing,Liang Renrong,Xu Yang,Liu Zhihong,Xu Jun,Qian Peixin.Fabrication of Strained Silicon Using Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition Process[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):179-182. |
| |
| Authors: | Wang Jing Liang Renrong Xu Yang Liu Zhihong Xu Jun Qian Peixin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
