| MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模 |
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| 引用本文： | 崔强,韩雁,董树荣,刘俊杰,斯瑞珺.MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模[J].传感技术学报,2008,21(2):361-364. |
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| 作者姓名： | 崔强 韩雁 董树荣 刘俊杰 斯瑞珺 |
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| 作者单位： | 浙江大学微电子与光电子研究所,杭州,310027;浙江大学微电子与光电子研究所,杭州310027;中佛罗里达大学电机系,美国奥兰多32816 |
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| 基金项目： | 浙江省新苗人才计划，浙江省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模.MOS器件是一种重要的静电放电防护器件,被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件.用TCAD仿真工具对MOS器件的二次击穿进行宏模块建模,该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理,具有良好的精确性和收敛性,这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电冲击能力有重要意义.
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| 关 键 词： | MOS 二次击穿 电路级 宏模块 建模 |
| 文章编号： | 1004-1699(2008)02-0361-04 |
| 修稿时间： | 2007年9月30日 |
A Model of MOSFET's Second Breakdown Action in Circuit-Level |
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| CUI Qiang,HAN Yan,DONG Shu-rong,LIU Jun-jie,SI Rui-jun.A Model of MOSFET's Second Breakdown Action in Circuit-Level[J].Journal of Transduction Technology,2008,21(2):361-364. |
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| Authors: | CUI Qiang HAN Yan DONG Shu-rong LIU Jun-jie SI Rui-jun |
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| Affiliation: | 1. Institute of Microelectronics and Photoelectronics, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China
2. Department of Electrical and Computer Engineering, University of Central Florida, Orlando, FL 32816 USA |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOS |
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