| InSb缓冲层的波纹结构及其对InSb/GaAs外延薄膜电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 熊敏,李美成.InSb缓冲层的波纹结构及其对InSb/GaAs外延薄膜电学性能的影响[J].红外与激光工程,2011,40(3). |
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| 作者姓名： | 熊敏 李美成 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001
2. 华北电力大学可再生能源学院,北京,102206 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50972032); 国家高技术研究发展计划资助项目(2009AA03Z407) |
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| 摘 要： | 采用分子束外延方法在GaAs(001)衬底上生长了InSb外延薄膜,其中采用"二步法"制备了不同厚度的低温InSb缓冲层结构.利用Mullins扩散模型对缓冲层的生长过程进行了具体演化.结合扩散模型的计算结果,通过原子力显微镜以及透射电子显微镜研究了InSb缓冲层表面的波纹结构对后续InSb薄膜生长的影响规律.研究表明,适"-3的缓冲层厚度有利于InSb薄膜的外延生长,缓冲层厚度超过60nm后,InSb薄膜表面的粗糙度明显增加,引入了大量位错导致外延薄膜的电性能下降,采用"二步法"生长30-50nm厚的InSb缓冲层比较合适.
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| 关 键 词： | InSb薄膜 Mullins方程 分子束外延 |
Undulation structure of InSb buffer layer and its effect on electrical properties of InSb/GaAs epilayer |
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| Xiong Min,Li Meicheng.Undulation structure of InSb buffer layer and its effect on electrical properties of InSb/GaAs epilayer[J].Infrared and Laser Engineering,2011,40(3). |
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| Authors: | Xiong Min Li Meicheng |
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| Affiliation: | Xiong Min1,Li Meicheng2(1.School of Materials Science and Engineering,Harbin Institute of Technology,Harbin 150001,China,2.School of Renewable Energy,North China Electric Power University,Beijing 102206,China) |
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