| 衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响 |
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| 引用本文： | 陈浩,邓金祥,陈光华,刘钧锴,田凌. 衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响[J]. 半导体学报, 2005, 26(12): 2369-2373 |
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| 作者姓名： | 陈浩 邓金祥 陈光华 刘钧锴 田凌 |
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| 作者单位： | 北京工业大学应用数理学院，北京 100022;北京工业大学应用数理学院，北京 100022;北京工业大学材料学院，北京 100022;北京工业大学材料学院，北京 100022;兰州大学物理学院，兰州 730000 |
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| 摘 要： | 用射频溅射设备,采用两步法制备了宽带隙立方氮化硼(c-BN)薄膜.研究了在其他条件不变的情况下,成核阶段衬底温度对制备c-BN薄膜的影响.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,薄膜成分由傅里叶变换红外吸收谱标识.研究发现:衬底温度是立方BN薄膜成核的一个重要参数;要得到一定立方相体积分数的薄膜,成核阶段衬底温度有一个阈值,成核阶段衬底温度低于400℃,薄膜中没有立方相的存在;衬底温度为400℃时,薄膜中开始形成立方相;衬底温度达到500℃时,得到了立方相体积分数接近100%的薄膜,并且薄膜中立方相体积分数随着成核阶段衬底温度的升高而增加.还研究了成核阶段衬底温度对薄膜立方相红外吸收峰峰位的影响.结果显示:随着成核阶段衬底温度的升高,薄膜中立方相吸收峰峰位向低波数漂移,说明薄膜内的压应力随成核阶段衬底温度的升高而降低,薄膜中最小压应力为3.1GPa.
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| 关 键 词： | 立方氮化硼 射频溅射 衬底温度 压应力 衬底温度 宽带隙 立方氮化硼 薄膜制备 影响 Energy Gap Wide Thin Films Preparation Substrate Temperature 最小 压应力 漂移 波数 位向 红外吸收谱 显示 结果 峰峰 存在 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）12-2369-05 |
| 收稿时间： | 2005-06-11 |
| 修稿时间： | 2005-07-26 |
Influence of Substrate Temperature on Preparation of c-BN Thin Films with Wide Energy Gap |
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| Chen Hao,Deng Jinxiang,Chen Guanghu,Liu Junkai and Tian Ling. Influence of Substrate Temperature on Preparation of c-BN Thin Films with Wide Energy Gap[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(12): 2369-2373 |
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| Authors: | Chen Hao Deng Jinxiang Chen Guanghu Liu Junkai Tian Ling |
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| Affiliation: | School of Applied Mathematics & Physics,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;School of Applied Mathematics & Physics,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;School of Materials Science & Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;School of Materials Science & Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100022,China;School of Physics,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | c-BN radio frequency sputter substrate temperature compressive stress |
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