| Ga-In-As-Sb合金半导体MOCVD外延工艺设计的热力学分析 |
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| 引用本文： | 张维敬,杜振民,李长荣,刘国权.Ga-In-As-Sb合金半导体MOCVD外延工艺设计的热力学分析[J].材料热处理学报,1997(3). |
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| 作者姓名： | 张维敬 杜振民 李长荣 刘国权 |
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| 作者单位： | 北京科技大学材料科学与工程学院 |
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| 基金项目： | 国家863高技术研究发展计划资助 |
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| 摘 要： | 用亚点阵模型和络合物模型描述ⅢⅤ族半导体ＭＯＣＶＤ生长过程中涉及的凝聚相及气相的热力学性质，以系统最小自由焓为相平衡判据；用ＣＡＬＰＨＡＤ技术，计算了包括复杂化学反应的多元复相体系的相图和有关相平衡信息；对多元化合物的成分空间及相应的点阵常数、能带间隙和自由焓等性质在该空间的表达提出了规范性模式。结合编建的ＣＨＡｌＧａＩｎＰＡｓＳｂ体系热力学数据库，对ⅢⅤ族合金半导体ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ和ＬＰＥ工艺的计算机辅助设计具有重要作用。
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| 关 键 词： | Ⅲ-Ⅴ族半导体 化学气相沉积 热力学分析 |
Thermodynamic Analysis of MOCVD Epitaxy Process Design for Ga In As Sb Alloy Semiconductor |
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| Affiliation: | University of Science and Technology Beijing |
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