| Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究 |
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| 引用本文： | 顾四朋,侯立松,曾贤成,赵启涛. Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究[J]. 光学仪器, 2001, 0(Z1) |
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| 作者姓名： | 顾四朋 侯立松 曾贤成 赵启涛 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 上海201800(顾四朋，侯立松，曾贤成)，中国科学院上海光学精密机械研究所 上海201800(赵启涛) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目 ( 5 9832 0 6 0 ) |
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| 摘 要： | 研究了单层 Ge- Sb- Te- O射频溅射薄膜在 40 0 nm～ 80 0 nm区域的光学常数 ( N,K)和反射、透射光谱 ,发现适当的氧掺杂能增加退火前后反射率对比度 ,因此 ,可以通过氧掺杂改良 Ge- Sb- Te相变材料的光存储性能
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| 关 键 词： | Ge-Sb-Te-O 相变薄膜 氧掺杂 反射率对比度 光存储 |
Optical properties of Ge-Sb-Te-O phase-change films |
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| GU Si peng,HOU Li song,ZENG Xian cheng,ZHAO Qi tao. Optical properties of Ge-Sb-Te-O phase-change films[J]. Optical Instruments, 2001, 0(Z1) |
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| Authors: | GU Si peng HOU Li song ZENG Xian cheng ZHAO Qi tao |
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| Abstract: | Optical properties of monolayer Ge Sb Te O thin film prepared by RF sputtering method at the region of 400nm～800nm were studied,including refractive index,extinction coefficient,reflection and transmission spectrum.The results indicated that larger reflectivity contrast can be achieved by an appropriate doping of oxygen,thus the recording properties of the Ge Sb Te thin film material can be improved by oxygen doping. |
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| Keywords: | Ge Sb Te O phase change films oxygen doping reflectivity contrast optical storage |
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