| O2含量对Si/NiO:Na异质pn结的光电性能影响 |
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| 引用本文： | 李彤,王铁钢,王达夫,倪晓昌,赵新为. O2含量对Si/NiO:Na异质pn结的光电性能影响[J]. 光电子．激光, 2015, 26(2): 284-287 |
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| 作者姓名： | 李彤 王铁钢 王达夫 倪晓昌 赵新为 |
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| 作者单位： | 天津职业技术师范大学 电子工程学院,天津 300222;天津职业技术师范大学 电子工程学院,天津 300222;天津职业技术师范大学 电子工程学院,天津 300222;天津职业技术师范大学 电子工程学院,天津 300222;天津职业技术师范大学 电子工程学院,天津 300222 ;东京理科大 学 物理系,162-8601 |
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| 基金项目： | 天津市教委(20120710,20110711)资助项目 (1.天津职业技术师范大学 电子工程学院,天津 300222； 2.东京理科大学 物理系,162-8601) |
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| 摘 要： | 利用磁控溅射方法在n型Si衬底上制备了NiO:Na薄膜构成异质pn结,并研究了其光电特性。 实验结果表明,当O2/Ar+O2比例从0%升高到30%时,Si/NiO:Na的pn结表现出最佳整流特性,正向开启电压达到 4.9V时才出现漏 电流。这可能是由于NiO:Na薄膜结晶度得到改善,薄膜内缺陷减少所致。继续增加O2/Ar+ O2比例,薄膜 结晶质量转差,相应也削弱了其整流特性,这一结果得到X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(A FM)和紫外(UV)透射结果的充分支持。
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| 关 键 词： | NiO Na 掺杂 pn结 磁控溅射 整流特性 |
| 收稿时间： | 2014-11-14 |
Effect of O2content on optical and electrical properties of Si/NiO:Na pn heterojunction |
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| LI Tong,WANG Tie-gang,WANG Da-fu,NI Xiao-chan g and ZHAO Xin-wei. Effect of O2content on optical and electrical properties of Si/NiO:Na pn heterojunction[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2015, 26(2): 284-287 |
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| Authors: | LI Tong WANG Tie-gang WANG Da-fu NI Xiao-chan g ZHAO Xin-wei |
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| Affiliation: | School of Electronics Engineering,Tianjin University of Technology and Educ ation,Tianjin 300222,China;School of Electronics Engineering,Tianjin University of Technology and Educ ation,Tianjin 300222,China;School of Electronics Engineering,Tianjin University of Technology and Educ ation,Tianjin 300222,China;School of Electronics Engineering,Tianjin University of Technology and Educ ation,Tianjin 300222,China;School of Electronics Engineering,Tianjin University of Technology and Educ ation,Tianjin 300222,China ;Department of Physics,Tokyo University of Science, Tokyo 162-8601,Japan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | NiO Na doping pn junction magnetron sputtering rectifying property |
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