| 一种碳化硅外延层质量评估新技术 |
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| 引用本文： | 马格林,张玉明,张义门,马仲发.一种碳化硅外延层质量评估新技术[J].西安电子科技大学学报,2011,38(6):37-43,96. |
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| 作者姓名： | 马格林 张玉明 张义门 马仲发 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60876061); 陕西省13115创新工程资助项目(2008ZDKG-30) |
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| 摘 要： | 由于当前多种技术同时被用于碳化硅(SiC)外延层质量表征,造成外延层和器件研制成本高、时间长、易损伤、不能在线检测等,限制了SiC外延材料和器件的发展.用红外镜面反射谱、拉曼散射谱、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电子能谱等对4H-SiC外延层质量进行了测试.测试结果的分析和比较表明,红外镜面反射谱不但能提供拉曼散射谱、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电子能谱等测试的所有质量参数,而且其解析结果与其他几种技术的解析结果一致.因此,红外镜面反射谱可以作为一种低成本、快捷、无损、可在线的碳化硅外延层质量监测技术.
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| 关 键 词： | 碳化硅 外延层 质量评估 红外镜面反射谱 |
| 收稿时间： | 2010-09-21 |
New quality evaluation technique for the SiC epilayer |
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| MA Gelin,ZHANG Yuming,ZHANG Yimen,MA Zhongfa.New quality evaluation technique for the SiC epilayer[J].Journal of Xidian University,2011,38(6):37-43,96. |
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| Authors: | MA Gelin ZHANG Yuming ZHANG Yimen MA Zhongfa |
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| Affiliation: | (Ministry of Education Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian Univ., Xi'an 710071， China) |
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| Abstract: | Considering that many characterization techniques used to evaluate the quality properties of the Silicon Carbide(SiC) epilayer result in high cost,long time,easy damage and being unable to carry out on-line test,the Infrared Specular Reflection(IRSR) Spectroscopy,Raman Scattering(RS) Spectroscopy,X-Ray Diffraction(XRD),Atom Force Microscopy(AFM) and X-ray Photoelectron energy Spectroscopy(XPS) are used to study the quality test of the 4H-SiC wafer.Results show that the IRSR spectrum can provide not only the... |
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| Keywords: | SiC epilayer quality evaluation infrared specular reflection spectroscopy |
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