| 大规模集成电路工艺中“鸟头”平坦化的研究 |
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| 引用本文： | 欧益宏,张正璠,黄路,杨忠.大规模集成电路工艺中“鸟头”平坦化的研究[J].微电子学,2002,32(3):192-194. |
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| 作者姓名： | 欧益宏 张正璠 黄路 杨忠 |
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| 作者单位： | 信息产业部,电子第二十四研究所,模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 介绍了大规模集成电路（VLSI）工艺中“鸟头”的形成,研究了平坦化“鸟头”的原理和过程。着重讨论了平坦剂的选择和涂胶,以及利用干法刻蚀进行平坦化的各种参数,获得了实用的平坦化“鸟头”的工艺条件。“鸟头”高度由原来的0.7μm左右下降为0.25μm左右,其参数指标的均符合工艺的技术要求。
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| 关 键 词： | 大规模集成电路 工艺 “鸟头”平坦化 |
| 文章编号： | 1004-3365(2002)03-0192-03 |
| 修稿时间： | 2001年4月20日 |
An Investigation into Iso-Planarization Technique in VLSI Process |
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| OU Yi hong,ZHANG Zheng fan,HUANG Lu,YANG Zhong.An Investigation into Iso-Planarization Technique in VLSI Process[J].Microelectronics,2002,32(3):192-194. |
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| Authors: | OU Yi hong ZHANG Zheng fan HUANG Lu YANG Zhong |
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| Abstract: | Formation of "bird head" in VLSI is described in the paper The principle of iso planarization and its process are investigated The selection of photoresist, film thickness and different parameters for plasma etching is discussed in detail Practical process conditions for iso planarization are obtained With this technique, the height of bird head is reduced from 700 nm to about 250 nm |
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| Keywords: | Iso planarization VLSI Isolation Isoplanar isolation |
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