LDO线性稳压器中CMOS带隙基准电路的设计

设计了一款应用于LDO线性稳压器的高性能CMOS带隙基准电路,详细分析了它的工作原理,并给出了具体电路、仿真波形以及分析数据。该电路的主要特点是采用双PN结串联和基极电流补偿的结构,并引入衬底电压产生电路,具有很好的温度特性和很高的电源抑制比。当温度从-40~125℃变化时,温度系数约为37ppm/℃;同时,其电源抑制比(PSRR)为76.3dB。此外,该电路还可为LDO中其它电路模块提供PTAT电流。