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| 大面积1.54μm波长测距用InGaAs雪崩光电二极管 | |
| 引用本文： | 谢春梅,潘青.大面积1.54μm波长测距用InGaAs雪崩光电二极管[J].半导体光电,1998,19(1):56-59. |
| 作者姓名： | 谢春梅 潘青 |
| 作者单位： | 重庆光电技术研究所 |
| 摘 要： | 设计并研制成功适合人的眼睛安全测距应用的ＩｎＧａＡｓ雪崩光电二极管（ＡＰＤ）。器件直径为２００μｍ，工作在２１℃，１５４０ｎｍ波长时响应为０．６４Ａ／Ｗ，典型暗电流和噪声因子分别为３０ｎＡ和６．５。介绍了该器件的工作原理，设计和制作工艺。 |
| 关 键 词： | 雪崩光电二极管 响应度 暗电流 噪声因子 |
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