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| 一种用于16位A／D转换器的2μmCMOS工艺 | |
| 作者姓名： | 胡永贵 贺广佑 |
| 作者单位： | 信息产业部电子第二十四研究所, |
| 摘 要： | 介绍了一种CMOS16位A／D转换器的工艺技术。该技术采用2μm硅栅自对准CMOS工艺、全离子注入和快速热退火。并分别用P阱和双阱工艺、多晶硅栅注砷和注BF2制作电路样品。两种工艺均能满足16倍A／D转换器的要求，但P阱工艺样品的转换速度优于双阱工艺的样品。 |
| 关 键 词： | CMOS工艺 硅栅自对准 A／D转换器 |
| 文章编号： | 1004-3365(2001)05-0354-03 |
| 修稿时间： | 2000-09-04 |
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