| 镓基砷化物、氮化物量子点研究进展 |
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| 引用本文： | 曲钢,徐茵,顾彪,秦福文,郎佳红.镓基砷化物、氮化物量子点研究进展[J].电子元件与材料,2004,23(1):45-47. |
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| 作者姓名： | 曲钢 徐茵 顾彪 秦福文 郎佳红 |
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| 作者单位： | 大连理工大学电气工程与应用电子技术系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学电气工程与应用电子技术系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学电气工程与应用电子技术系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学电气工程与应用电子技术系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学电气工程与应用电子技术系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69976008) |
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| 摘 要： | 综述了半导体低维结构以及镓基砷化物、氮化物材料量子点的发展,涉及了外延生长机理、量子点的形貌结构特征,并着重介绍了镓基氮化物材料量子点的制备方法、研究的现状、面临的困难、应用发展现状,并对其未来研究趋势提出了看法。
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| 关 键 词： | 量子点 砷化物 氮化物 制备工艺 |
| 文章编号： | 1001-2028(2004)01-0045-03 |
Research and Development of Ga-based Arsenide and Nitride Semiconductor Quantum Dots |
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| QU Gang,XU Yin,GU Biao,QIN Fu-wen,LANG Jia-hong.Research and Development of Ga-based Arsenide and Nitride Semiconductor Quantum Dots[J].Electronic Components & Materials,2004,23(1):45-47. |
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| Authors: | QU Gang XU Yin GU Biao QIN Fu-wen LANG Jia-hong |
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| Abstract: | The development course of low dimensional semiconductor materials and Ga-based nitride, arsenide semiconductor quantum dots are reviewed. Epitaxial growth mechanism and the morphological structure are involved. The device applications, difficulties and current status of group-III nitride semiconductor quantum dots are emphasized. The opinions of the existing problems and research trend for further are given. |
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| Keywords: | quantum dots arsenide nitride preparation methods |
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