SiC/GaN功率半导体领域面临测试新挑战 |
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引用本文: | 吴琪乐.SiC/GaN功率半导体领域面临测试新挑战[J].半导体信息,2012(2). |
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作者姓名: | 吴琪乐 |
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摘 要: | 正目前功率半导体厂商开始由硅转向替代材料,更具体地说是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。业界采用在硅衬底和氮化铝缓冲层之上生长GaN的技术来降低成本。这使得设备厂商可以利用现有硅制程技术在衬底上生长PN结。GaN定价也从原先10-15倍于传统硅下降到更容易接受的水平。
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关 键 词: | 功率半导体 测试 新挑战 示波器 领域 开启电压 高分辨率 设备厂商 测量 技术 |
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