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杂志ISSN号
SiC/GaN功率半导体领域面临测试新挑战
作者姓名:
吴琪乐
摘 要:
正目前功率半导体厂商开始由硅转向替代材料,更具体地说是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。业界采用在硅衬底和氮化铝缓冲层之上生长GaN的技术来降低成本。这使得设备厂商可以利用现有硅制程技术在衬底上生长PN结。GaN定价也从原先10-15倍于传统硅下降到更容易接受的水平。
关 键 词:
功率半导体
测试
新挑战
示波器
领域
开启电压
高分辨率
设备厂商
测量
技术
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