罗姆发布第二代SiC制MOSFET,可抑制通电劣化现象 |
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引用本文: | 赵佶.罗姆发布第二代SiC制MOSFET,可抑制通电劣化现象[J].半导体信息,2012(4). |
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作者姓名: | 赵佶 |
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摘 要: | 正罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象,单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30%。
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关 键 词: | 第二代 导通电阻 劣化 发布 封装形式 抑制 新产品 肖特基势垒二极管 可靠性 现象 |
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