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| 英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存 | |
| 引用本文： | 郑冬冬.英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存[J].半导体信息,2012(1). |
| 作者姓名： | 郑冬冬 |
| 摘 要： | 正英特尔和美光科技(MicronTechnology)日前宣布,已开发出128Gb的NAND闪存,新元件采用了针对闪存改良的20 nm工艺制程,将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。两家公司声称,他们开发出了全球首款独立型128 Gb存储器,并表示将立即使用相同的制程量产20 nm的64 Gb NAND闪存元件,而新的128 Gb元件预 |
| 关 键 词： | 英特尔 存储器 闪存 元件 晶体管 制程 联合开发 低成本 高密度 上半年 |
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