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英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存
作者姓名:
郑冬冬
摘 要:
正英特尔和美光科技(MicronTechnology)日前宣布,已开发出128Gb的NAND闪存,新元件采用了针对闪存改良的20 nm工艺制程,将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。两家公司声称,他们开发出了全球首款独立型128 Gb存储器,并表示将立即使用相同的制程量产20 nm的64 Gb NAND闪存元件,而新的128 Gb元件预
关 键 词:
英特尔
存储器
闪存
元件
晶体管
制程
联合开发
低成本
高密度
上半年
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