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| 瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET | |
| 引用本文： | 赵佶.瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET[J].半导体信息,2012(4). |
| 作者姓名： | 赵佶 |
| 摘 要： | 正瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150 mΩ(栅源间电压为10 V时的标称值)的600 V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600 V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率 |
| 关 键 词： | 导通电阻 耐压 功率 标称值 正向电压 家电产品 系列 电子 样品 封装 |
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