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| 中国IGBT功率半导体器件产业观察 | |
| 引用本文： | 赵洁.中国IGBT功率半导体器件产业观察[J].半导体信息,2012(2). |
| 作者姓名： | 赵洁 |
| 摘 要： | 正IGBT是功率器件技术演变的最新产品,是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点,又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势,IGBT产品可以实现对以往功率 |
| 关 键 词： | 高压变频器 逆变器 功率半导体器件 高速列车 电磁炉 市场潜力 变频家电 太阳能 节能 市场需求 |
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