碳化硅绝缘栅双极型晶体管器件发展概述

宽禁带半导体碳化硅(SiC)具有高击穿场强、高电子饱和速率和热导率等优点,适合制作高压、高温、高频与大功率器件。SiC绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为一种双极型器件,结合了材料与器件结构优势,在超高压应用领域具有明显优势,成为研究热点与未来发展趋势。这里分别从P沟道SiC IGBT器件、N沟道SiC IGBT器件以及新结构在提高击穿电压、降低导通压降、优化器件折中特性和提升可靠性方面的研究,阐述了SiC IGBT器件的发展进展。SiC IGBT器件的优越性能彰显了其在高压大功率应用方面的广阔前景。