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| EBS-CCD背照器件的寿命计算 | |
| 引用本文： | 陈钟谋,张吉登.EBS-CCD背照器件的寿命计算[J].电子学报,1987(4). |
| 作者姓名： | 陈钟谋 张吉登 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 (陈钟谋)，南京电子器件研究所(张吉登) |
| 摘 要： | 本文根据背照器件SiO_2层吸收的x射线总剂量所造成的电子损伤,计算了背照器件的寿命。计算值和实验值十分一致。背照器件的有效寿命可达几千小时以上,这在作者的加速寿命试验中得到进一步证实。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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