| 多孔硅的电化学制备与研究 |
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| 引用本文： | 窦雁巍,胡明,崔梦,宗杨.多孔硅的电化学制备与研究[J].功能材料,2006,37(3):395-398. |
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| 作者姓名： | 窦雁巍 胡明 崔梦 宗杨 |
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| 作者单位： | 天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;天津大学,电子信息工程学院,天津,300072 |
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| 摘 要： | 以电化学方法制备了多孔硅材料并通过表面轮廓测试仪、原子力显微镜、显微拉曼光谱仪等设备对制备多孔硅的孔隙率、厚度、表面形貌、以及热导率进行了表征.结果发现,本实验制备的多孔硅属于介孔硅(15～20nm),其孔隙率随腐蚀时间和腐蚀电流的变化有先增大后减小的趋势.增加多孔硅的厚度和孔隙率,可以使得多孔硅的热导率显著降低(最低可低至0.62W/m·K).
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| 关 键 词： | 多孔硅 孔隙率 腐蚀速率 导热率 |
| 文章编号： | 1001-9731(2006)03-0395-04 |
| 收稿时间： | 2005-07-14 |
| 修稿时间： | 2005-09-29 |
Research of porous silicon prepared by electrochemical method |
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| DOU Yan-wei,HU Ming,CUI Meng,ZONG Yang.Research of porous silicon prepared by electrochemical method[J].Journal of Functional Materials,2006,37(3):395-398. |
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| Authors: | DOU Yan-wei HU Ming CUI Meng ZONG Yang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon porosity etching velocity thermal conductivity |
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