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| 基于二极管技术优化射频集成电路的ESD | |
| 作者单位： | ;1.中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 摘 要： | 在CMOS集成电路设计中,工艺尺寸不断减小、栅氧厚度不断变薄,对ESD提出更高的要求。尤其在射频集成电路中,ESD的寄生电容对射频性能将产生不可忽略的影响。基于二极管正向偏置对ESD电流的泄放能力,通过引入电感和电容对ESD脉冲的精确模拟,通过设计有效的有源RC电源钳位电路,考虑到版图电阻电容寄生对ESD的射频性能的影响,提出3种版图设计,对各种版图进行了仿真,分析ESD和射频性能,提出了最优的版图,满足射频集成电路应用的ESD保护电路。 |
| 关 键 词： | 静电泄放 射频集成电路 二极管 电源钳位 |
Optimization of ESD in RF IC Based on Diode Technology |
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