| 硼掺杂对直流热阴极CVD金刚石薄膜生长特性的影响 |
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| 引用本文： | 吕江维,冯玉杰,彭鸿雁,陈玉强.硼掺杂对直流热阴极CVD金刚石薄膜生长特性的影响[J].无机材料学报,2009,24(3):607-611. |
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| 作者姓名： | 吕江维 冯玉杰 彭鸿雁 陈玉强 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学,城市水资源与水环境国家重点实验室,哈尔滨,150090
2. 牡丹江师范学院,物理系,牡丹江,157012 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，黑龙江省杰出青年基金，城市水资源与水环境国家重点实验室开放研究基金 |
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| 摘 要： | 采用直流热阴极CVD法以B(OCH3)3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜,利用等离子体发射光谱、SEM、Raman和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响,通过与未掺杂金刚石薄膜的对比发现:在直流热阴极CVD系统中,低浓度硼掺杂条件下能够长时间维持稳定的辉光放电. 掺硼后辉光等离子体活性基团(Hα、Hβ、C2、CH)的种类没有改变,但C2基团的浓度升高,而CH基团的浓度下降,薄膜的生长速率提高到0.65mg·cm-2·h-1. 硼掺杂金刚石薄膜为多晶薄膜,晶体生长良好,取向以(111)晶面为主,质量较未掺杂薄膜有所提高. 硼原子以取代或填隙的方式掺杂进入金刚石晶格,没有破坏金刚石晶体结构.
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| 关 键 词： | 金刚石 直流热阴极 化学气相沉积 硼掺杂 |
| 收稿时间： | 2008-8-4 |
| 修稿时间： | 2008-9-19 |
Influence of Boron Doping on Growth Characteristic of Diamond Films Prepared by Hot Cathode DC Chemical Vapor Deposition |
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| Lū Jiang-Wei,FENG Yu-Jie,PENG Hong-Yan,CHEN Yu-Qiang.Influence of Boron Doping on Growth Characteristic of Diamond Films Prepared by Hot Cathode DC Chemical Vapor Deposition[J].Journal of Inorganic Materials,2009,24(3):607-611. |
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| Authors: | Lū Jiang-Wei FENG Yu-Jie PENG Hong-Yan CHEN Yu-Qiang |
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| Affiliation: | 1.StateKeyLaboratoryofUrbanWaterResourceandEnvironment,HarbinInstituteofTechnology,Harbin150090,China;2.DepartmentofPhysics,MudanjiangTeachersCollege,Mudanjiang157012,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | diamond hot cathode DC chemical vapor deposition (CVD) boron doping |
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