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| 腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究 | |
| 引用本文： | 蒋稳,邹宇,伍建春,展长勇,朱敬军,安竹,杨斌,黄宁康.腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究[J].功能材料,2013(15):2222-2226. |
| 作者姓名： | 蒋稳 邹宇 伍建春 展长勇 朱敬军 安竹 杨斌 黄宁康 |
| 作者单位： | 四川大学原子核科学技术研究所,辐射物理及技术教育部重点实验室 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11205107);教育部博士点基金资助项目(20120181120063) |
| 摘 要： | 采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备。就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别。随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小,制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整。当改变腐蚀液配方中的HF浓度时,制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变,对此的机制进行了探讨。 |
| 关 键 词： | 中子探测器 电化学刻蚀 多孔硅阵列 形貌 |
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