| a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜微结构的退火行为 |
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| 引用本文： | 郭震宁,黄永箴.a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜微结构的退火行为[J].半导体学报,2000,21(6):576-579. |
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| 作者姓名： | 郭震宁 黄永箴 |
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| 作者单位： | 天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津,300072;华侨大学应用物理系,泉州,362011,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083,华侨大学应用物理系,泉州,362011,天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津,300072 |
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| 基金项目： | 教育部科学技术研究项目;69896260; |
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| 摘 要： | 采用ＰＥＣＶＤ技术在Ｐ型硅衬底上制备了ａ－ＳｉＯｘ：Ｈ／ａ－ＳｉＯｙ：Ｈ多层薄膜，利用ＡＥＳ和ＴＥＭ技术研究了这种薄膜微结构的退火行为，结果表明：ａ－ＳｉＯｘＬ：Ｈ／ａ－ＳｉＯｙ：Ｈ多层薄膜经退火处理形成ｎｃ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多层量子点复合膜，膜层具有清晰完整的结构界面，纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构，颗粒大小随退火温度升高而增大小随退火温度升高而增大，在一定的实验条件下，样品在６５０℃下退火可形成尺寸大
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| 关 键 词： | 退火 微结构 多层薄膜 氧化硅 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)06-0576-04 |
| 修稿时间： | 1999-07-22 |
Annealing Behavior of Microstructure in a-SiOx:H/a-SiOy: H Multilayer Films |
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| GUO Zhen-ning,GUO Zhen-ning,HUANG Yong-zhen,GUO Heng-qun,LI Shi-chen,WANG Qi-ming.Annealing Behavior of Microstructure in a-SiOx:H/a-SiOy: H Multilayer Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(6):576-579. |
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| Authors: | GUO Zhen-ning GUO Zhen-ning HUANG Yong-zhen GUO Heng-qun LI Shi-chen WANG Qi-ming |
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| Affiliation: | GUO Zhen-ning
(The College of Precision Instrument and Optoelectronics Engineering,Tianjin
University,Tianjin 300072, China)
GUO Zhen-ning
(Department of Applied Physics, Huaqiao University, Quanzhou 362011, China)
HUANG Yong-zhen
(National Integrated Optoelectronic Laboratory, Institute of Semiconductors, The Chinese
Academy of Sciences,Beijing 100083, China)
GUO Heng-qun
(Department of Applied Physics, Huaqiao University, Quanzhou 362011, China)
LI Shi-chen
(The College of Precision Instrument and Optoelectronics Engineering,Tianjin
University,Tianjin 300072, China)
WANG Qi-ming
(National Integrated Optoelectronic Laboratory, Institute of Semiconductors, The Chinese
Academy of Sciences,Beijing 100083, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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