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| 温控烧结法制备高温PTCR陶瓷 | |
| 引用本文： | 王国法.温控烧结法制备高温PTCR陶瓷[J].现代技术陶瓷,1995,16(2):35-40. |
| 作者姓名： | 王国法 |
| 作者单位： | 西北轻工业学院 |
| 摘 要： | 本实验以固相合成的(Ba_(0.6)Pb_(0.4))TiO_3为主要原料,在较宽的温度范围内(1280—1360℃)制得了Tc>320℃、室温电阻率低达几十Ω·cm、升阻差在五个数量级以上的PTCR材料。实验结果得出:采用高温快速升温、从烧结温度快速降温至某一温度并保温一段时间的温控烧结方法(TCS),有利于提高材料的性能。 |
| 关 键 词： | PTCR陶瓷 温控烧结法 居里温度 电阻率 |
Preparation of High Tc PTCR Ceramics with Tcs |
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| Wang Guo fa.Preparation of High Tc PTCR Ceramics with Tcs[J].Advanced Ceramics,1995,16(2):35-40. | |
| Authors: | Wang Guo fa |
| Affiliation: | Northwest Institute of Light Industry |
| Abstract: | |
| Keywords: | PTCK ceramic curie point resistivity at room temperature Grain boundary Donor Acceptor Temperature-controued sintering |
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