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| 注磷InSb的光学性质 | |
| 作者姓名： | 唐文国 钟桂英 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所(唐文国)，中国科学院上海技术物理研究所(钟桂英) |
| 摘 要： | 本文用光学方法对注磷InSb进行了研究,所采用的实验技术包括:(1)光子能量低于能带间隙的光吸收;(2)电反射光谱。用于实验测量的InSb晶体用切克劳斯基方法生长,所有样品为N型,纯度较高,晶向为〈111〉。它们经过研磨、机械抛光和化学机械抛光,最后经过化学腐蚀,获得高质量的光学表面。注磷的能量为200keV,剂量为10~(12)～10~(14)cm~(-2),InSb的温度为室温。光吸收和电 |
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