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BiVO4对MgTiO3陶瓷烧结及介电性能的影响
引用本文:张启龙,童建喜,杨辉,王焕平.BiVO4对MgTiO3陶瓷烧结及介电性能的影响[J].压电与声光,2007,29(4):432-434.
作者姓名:张启龙  童建喜  杨辉  王焕平
作者单位:浙江大学,材料与化学工程学院,浙江,杭州,310027
基金项目:浙江省重点科技计划基金
摘    要:研究了BiVO4对MgTiO3介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响。结果表明,BiVO4能有效促使MgTiO3陶瓷烧结温度从1 400℃降至900℃以下。X-射线衍射(XRD)表明BiVO4相和MgTiO3相共存。随着BiVO4含量增大,陶瓷致密化温度降低,体积密度和介电常数rε逐渐增大,品质因数Q×f急剧下降,频率温度系数fτ向负值方向移动。添加w(MgTiO3)=4%的陶瓷在900℃烧结2 h,获得最佳性能:rε=18.53,Q×f=6 832 GHz,fτ=-55×10-6/℃。

关 键 词:低温共烧陶瓷  介电性能
文章编号:1004-2474(2007)04-0432-03
修稿时间:2006-06-15

Effect of BiVO4 on the Sintering and Dielectric Properties of MgTiO3 Ceramics
ZHANG Qi-long,TONG Jian-xi,YANG Hui,WANG Huan-ping.Effect of BiVO4 on the Sintering and Dielectric Properties of MgTiO3 Ceramics[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2007,29(4):432-434.
Authors:ZHANG Qi-long  TONG Jian-xi  YANG Hui  WANG Huan-ping
Affiliation:College of Materials Science and Chemical Engineering, Zhejiang Uuiversity, Hangzhou 310027, China
Abstract:
Keywords:BiVO4  MgTiO3
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