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二甲基亚砜中半导体上脉冲电沉积Bi薄膜
引用本文:袁定胜,潘文杰,刘冠昆,刘鹏,童叶翔.二甲基亚砜中半导体上脉冲电沉积Bi薄膜[J].材料保护,2003,36(5):38-39.
作者姓名:袁定胜  潘文杰  刘冠昆  刘鹏  童叶翔
作者单位:中山大学化学与化学工程学院,广东,广州,510275
基金项目:中山大学校科研和教改项目,,
摘    要:从原有的化学镀铜的工业配方出发,对其用量进行改良,特别是镀液的pH值调试,配体的使用和还原剂的用量,在硅片上沉积出一层光亮而且致密的铜薄膜。结果表明,在二甲基亚砜中硅铜基体上的电沉积铋薄膜均匀、致密、粘附力强,XRD测试表明铋以晶体析出。

关 键 词:化学镀  电沉积  
文章编号:1001-1560(2003)05-0038-02

Pulse Electrodepositing Bismuth Film on the Silicon
YUAN Ding-sheng,PAN Wen-jie,LIU Guan-kun,LIU Peng,TONG Ye-xiang.Pulse Electrodepositing Bismuth Film on the Silicon[J].Journal of Materials Protection,2003,36(5):38-39.
Authors:YUAN Ding-sheng  PAN Wen-jie  LIU Guan-kun  LIU Peng  TONG Ye-xiang
Abstract:First industrial formula of electroless copper plating was improved to obtain a bright and compact copper film on the silicon slice, especially for the pH value, complexing agent and reductant. Later bismuth film was elec-trodeposited on the silicon/copper substrate in a non-aqueous solution. Results showed that the bismuth film was uni-form and compact and good adhesion to matrix, and the bismuth was granule form.
Keywords:electroless plating  electrodeposition  bismuth  
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