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| 日本冲电气工业公司研制的MSM41256型、MSM41257型256kDRAM | |
| 作者姓名： | 上杉腾 焦舜华 |
| 摘 要： | MOS动态存贮器从1971年的1k位DRAM问世以来,一方面连续保持3年增长4倍的规律,另一方面经常不断促进着当时最高水平的批量生产技术,迎来了今天的256k时代。由此,从大型计算机到专用计算机都广泛使用动态存贮器,它们不外乎要求 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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