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1.9~5.7 GHz宽带低噪声BiCMOS LC VCO
作者姓名:刘建峰  成立  杨宁  周洋  凌新  严鸣
作者单位:江苏大学,电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;南通职业大学,电子工程系,江苏,南通,226007;江苏大学,电气与信息工程学院,江苏,镇江,212013;镇江市,312国道管理站,江苏,镇江,212001
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划) 
摘    要:设计了一种宽带、低相位噪声差分LC压控振荡器(VCO)。所设计的电路采用开关电容阵列和开关电感,实现了多波段振荡输出。对负阻环节跨导进行了优化设计,将热噪声控制在最小范围内,同时采用高品质因数片上螺旋电感,以减小电路的噪声干扰。采用台积电(TSMC)0.35μmSiGe BiCMOS工艺制作了流片,并进行了仿真和硬件电路实验。实测结果表明,当调谐电压为0~3.3 V时,可设定VCO工作在6个波段(1.9~2.1 GHz,2.1~2.4 GHz,2.4~3.0 GHz,3.0~3.4 GHz,3.4~4.2 GHz,4.2~5.7 GHz),此6波段连续可调,构成了1.9~5.7 GHz宽带VCO;VCO的中心频率为2.4 GHz、偏离中心频率为1 MHz时实测相位噪声为-111.64 dBc/Hz;在3.3 V电源电压下实测核静态电流约为1.8 mA,从而验证了宽带、低噪声BiCMOS LC VCO设计方案之正确性。

关 键 词:锗硅双极互补金属氧化物半导体模拟集成电路  LC压控振荡器  宽带  相位噪声
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