| GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化 |
| |
| 引用本文： | 牛智红,任正伟,贺振宏.GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化[J].真空科学与技术学报,2008,28(2):108-111. |
| |
| 作者姓名： | 牛智红 任正伟 贺振宏 |
| |
| 作者单位： | 1. 山西综合职业技术学院轻工分院,太原,030013
2. 中科院半导体研究所,北京,100083 |
| |
| 摘 要： | 采用分子束外延方法在CaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs纳米线(QWRs)或者三维(3D)岛状结构.InAs纳米线(QWRs)选择性生长在CaAs层的台阶边缘.通过原子力显微镜(AfM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件,包括衬底温度、生长速率、和InAs层厚度等,对InAa表面形貌有很大的影响.如,低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成.表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争.
|
| 关 键 词： | 分子束外延 表面形貌 原子力显微镜 量子线 GaAs InAs 自组织 纳米微结构 结构形貌 演化 Transition Phase 竞争 应变能 表面形貌 转变 结构形成 岛状 高温 线状 低温 影响 InAa 层厚度 |
| 修稿时间： | 2007年6月12日 |
Phase Transition of Serf-Assembled InAs on GaAs(331)A Surface |
| |
| Niu Zhihong,Ren Zhengwei,He Zhenhong.Phase Transition of Serf-Assembled InAs on GaAs(331)A Surface[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2008,28(2):108-111. |
| |
| Authors: | Niu Zhihong Ren Zhengwei He Zhenhong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
