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Ge_xSi_(1-x)合金基区异质结晶体管模拟器——GSHBT
作者姓名:李建军  魏希文  沈光地  陈建新  邹德恕  韩汝琦
作者单位:大连理工大学物理系!116023(李建军,魏希文),北京工业大学电子系!100022(沈光地,陈建新,邹德恕),北京大学微电子所!100871(韩汝琦)
基金项目:国家 8 63![863 -3 0 7-1 5-4 ( 0 6) ],国家‘九五’重点科技攻关!( 97-761 -0 3 -0 2 ),国家自然科学基金!( 698760 0 4,698962 6
摘    要:基于有限差分法开发了一个 Gex Si1-x合金基区异质结晶体管 (Gex Si1-x HBT)模拟器GSHBT。通过解释一组输入语句 ,GSHBT可模拟任意掺杂分布和锗分布的 Gex Si1-x HBT的直流特性、频率特性和器件的内部图像。文中描述了 GSHBT的特点和使用方法 ,阐述了进行器件特性分析的数值方法 ,并给出了应用实例。

关 键 词:锗硅合金  模拟器  异质结  晶体管
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