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| AIInGaN／GaN PIN紫外光电探测器的研制 | |
| 引用本文： | 黄瑾,洪灵愿,刘宝林,张保平.AIInGaN／GaN PIN紫外光电探测器的研制[J].半导体光电,2008,29(5). |
| 作者姓名： | 黄瑾 洪灵愿 刘宝林 张保平 |
| 作者单位： | 厦门大学物理系,福建厦门361005 |
| 摘 要： | 用AlInGaN四元合金代替AlGaN作为PIN探测器的有源层，研制出AlInGaNPIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺，并对器件进行了光电性能测试。测试结果表明，器件的正向开启电压约为1．5V，反向击穿电压大于40V；室温-5V偏压下，暗电流为33pA，350nm处峰值响应度为0．163A／W，量子效率为58％。 |
| 关 键 词： | AlInGaN／GaN PIN光电探测器 紫外光电探测器 |
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