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| 超结型高压功率MOSFET结构工作原理 | |
| 引用本文： | 刘松,张龙,刘瞻.超结型高压功率MOSFET结构工作原理[J].今日电子,2013(11):30-31. |
| 作者姓名： | 刘松 张龙 刘瞻 |
| 作者单位： | 万国半导体元件有限公司 |
| 摘 要： | 目前,高压功率MOSFET具有平面型和超结型（Super Junction）两种常用的结构。早期,高压功率MOSFET主要是平面型结构,它采用厚的低掺杂的N-的外延层,即epi层,用来保证具有足够的击穿电压,低掺杂的N-的epi层的尺寸越厚,耐压的额定值越大, |
| 关 键 词： | 功率MOSFET 工作原理 结构 高压 结型 击穿电压 平面型 epi |
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